行业解决方案
SOLUTION

镍表面处理工艺

UPC Ni MP601 防腐微晶粒结构电化学镍层制程

UPC Ni MP601是一种底镍电化学结构层工艺,微晶粒结构沉积能提高电子产品功能性,适用于各种电子/半导体性能的工件生产制程。

特性与优点

1. 镀层柔软、半光亮,特别适用于氨基磺酸镍制程的高速连续电镀工艺。
2. 特别针对SMD、LED、connector在镀层更薄情况下可获得比较好的抗高温烘烤后防变色的能力。
3. 在宽广的电流密度范围内(3-20 ASD),可获得均匀的镍沉积层。
4. 填平度与光亮度佳,电流效率高。
5. 镀层内应力极低,具备优良的可焊性及抗高温能力。
6. 分解产物少,镀液寿命长。


UPC Ni 2202 半导体电子元件镍表面处理工艺
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UPC Ni 2202适用于电子功能性的电化学沉积镍层工艺上,具良好的可焊性、优良的延展性、内应力极低的镍结构。


特性与优点
1. 镀层半光亮,柔软,用于氨基磺酸镍制程的高速连续镀电子工艺制程。
2. 特别针对IC Leadframe、PPF、SMD、LED、connector、IGBT元件,在镀层更薄情况下可获得均匀细致的电化学沉积层结构。
3. 在宽广的高速电流密度范围内(3-30 ASD),填平及厚度均匀的镍层。
4. 填平度与分散均匀度佳,电流效率高。
5. 镀层内应力极低,具备优良的可焊性及防变色能力。
6. 分解产物少,镀液寿命长。



UPC PPF Ni-R 凹凸粗化镍结构功能性载体制程
未标题-1.pngUPC PPF Ni-R凹凸粗化结构电化学镍载体工艺制程,为业内引线框架制程企业提供先进的PPF制程,制造出达到MSL-1效果的PPF引线框架,能够提高金属与封装树脂之间的密着性。


特性与优点
1. 电化学沉积粗化镍结构,金属与封装树脂之间密着性提高的载体基层。
2. 适用于半导体元件,引线框架的工艺,提高封装密着性。
3. 特殊的凹凸状镍粗化沉积结构形态。
4. 工艺制程效果满足达到车载IC应用要求。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响焊锡湿润性,不影响打线引线键合(Wire-bonding)及贴芯片(Die-bonding),钯金沉积层的结合力及功能性效果。


UPC Ni MP508 镍表面处理工艺
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UPC Ni MP508是一种高速连续镀镍工艺,具良好可焊性及柔软度,提高生产效率及均镀性。


特性与优点

1. 镀层柔软,特别适用于氨基磺酸镍制程的高速连续电镀工艺。

2. 在宽广的电流密度范围内(5-25ASD),可获得填平度均匀的镍镀层。

3. 填平度与光亮度佳,电流效率高。

4. 镀层内应力极低,适用于一般镍底应用需要。

5. 分解产物少,镀液寿命长。



UPC PPF Ni-R预浸液
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UPC PPF Ni-R预浸液是粗镍微结构电化学镍的前道制程,适用于微结构镍前处理使用,有效在电化学粗镍结构前活化提高微结构均匀性。

 

特性与优点

1. 前工序提高粗镍结构效果。                        

2. 预浸引线框架素材,更适合电化学粗镍结构的形成。
3. 工艺稳定,寿命使用周期长。   

                                                          



钯表面处理工艺

UPC ECPALLI 5000
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UPC ECPALLI 5000是一种含氨及呈微碱性的钯载体电化学沉积结构工艺,能沉积一层半光亮至光亮而不易爆裂的纯钯结构层,适用于电子应用上。应用范围广泛,典型包括端子电镀、印刷线路板的接点及半导体元件引线框架PPF工艺等。在半导体元件及集成电路引线框架上的PPF工艺应用方面,薄钯层可提供优良的接焊面,以代替内脚框及平垫上之银电镀;具有优良之焊锡性,能代替锡铅制程在封装后外脚框之预镀PPF制程。

特性与优点

1. 在半导体应用上有优良的接焊功能。
2. 低孔率镀层使底层金属得到极佳的保护而不易受侵蚀氧化。
3. 薄钯层提供优良焊锡性,Pre Plate Frame PPF应用。

金表面处理工艺

UPC FAB_Au 2000
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微电子电化学纯金UPC FAB_Au 2000适用于电子半导体引线框架、元件、连接器、航天、车载、5G 通讯产品之表面上电化学薄金制程工艺。具有良好的焊接性,芯片载体层,打线优良功能性。

特性与优点
1. 电化学沉积99.99%纯金结构层适合半导体相关工艺需要。
2. 半导体引线框架PPF的金层使用(Ni、Pd、Au)。
3. 极优良的焊接特性,上芯片、打线。


UBM Au 剥离剂 BLM-02
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UBM Au 剥离剂 BLM-02,适用于端子、军工、新能源汽车件制程上的电子级化学品添加剂,安全、环保、不含危害物质,是一种环保型的无氰电化学剥离剂。脱金而不伤镍、铜素材料,在脱金的过程中亦不损害原来金层的功能性。

 
特性与优点

1. 适用于电子半导体工艺去除镍、铜等镀层上金镀层。

2. 在电解过程中不产生烟雾或喷雾。

3. 脱金效果稳定。

4. 操作容易,使用寿命长,成本低。