行业解决方案
SOLUTION

铜表面处理工艺

UPC WT ABC 电子应用级电化学铜沉积层功能液
UPC WT ABC功能液是一种填平,快速出光并且优越走位均镀能力佳的电子化学品;用量较省,使用范围较广,操作维护简单,能稳定提高产品质量及制程生产速度的优良产品制程,更具竞争力,性价比极高。

特性与优点
1. 工艺操作简单,制程工作液容易控制,兼容性高,电流密度范围宽阔,高低电流密度区效果均匀,优良的均镀性。
2. 沉积层的填平度极佳,不产生针孔、白雾、麻点。内应力低,富延展性与镍层的结合力良好,出光速度快。
3. 药水稳定性高,具备耐高温特性,使用量也不会提高及分解,仍能造出清亮饱满,无麻点的光亮铜沉积层。镀液对杂质的容忍度非常高。
4. 可应用于各种不同类型的底材,如铜、铁、黄铜等支架素材。
5. 可应用于电子行业,如电子产品LED、SMD、电子元件等产品制程。


UPC CuR 198 IC Leadframe 粗结构功能性载体制程
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UPC CuR 198 电化学粗结构铜载体IC Leadframe制程,为业内提供电化学铜微结构工艺制程,引线框架铜底镀银产品中提高金属与封装树脂之间的密着性,满足MSL-1等级的需求,不分层(No Delamination)。沉积层可提供150-600μm粗糙度,车规级TO、SOIC需求。
                                 
特性与优点

1. 制程效果满足达到车载IC应用要求,达到MSL-1等级。
2. 提高电化学沉积铜粗微结构金属与封装树脂之间的密着性。
3. 适用于半导体元件及引线框架的工艺,能够提高封装密着性。
4. 特殊的凹凸状铜粗微沉积结构形态,增加结合力,不分层。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响后工序焊锡湿润性的效果。



UPC FAB Cu_Pillar 2018 CP 电子电化学铜工艺

UPC FAB Cu_Pillar 2018 CP设计用于先进封装电化学铜沉积层结构工艺,成功满足RDL patterns、ultra deep cupillar能力。

 
特性与优点

1. 制程容易控制,电化学铜沉积层的均匀度极佳。

2. 镀层不产生针孔,内应力低,富延展性,均匀性高。

3. 电流密度范围宽阔。

4. 可应用于各种不同类型的材料,WIW、WID芯片制程、陶瓷基板。