行业解决方案
SOLUTION

UPC LF_CuR_1033 IC Leadframe 电化学粗铜结构功能性载体制程
UPC LF_CuR_1033 电化学粗铜结构沉积层的IC Leadframe生产制程，为业内提供电化学粗铜微结构的工艺制程，使引线框架表面粗铜底再镀银产品中提高金属与封装树脂之间的密着性，满足MSL一级可靠性的需求，粗铜沉积层可提供150 - 450 nm Ra粗糙度，S-Ratio 1.2或以上，适用于车规级DFN、QFN、SOIC及功率半导体元件需求。

特性与优点

1. 工艺制程效果满足达到车载IC应用要求，达到MSL-1等级。
2. 电化学沉积铜粗微结构金属与封装树脂之间密着性提高的工艺。
3. 适用于半导体元件，引线框架的工艺，提高封装密着性。
4. 特殊的凹凸状铜粗微沉积结构形态，增加结合力，不分层。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响后工序焊锡湿润性的效果。