行业解决方案
SOLUTION

UPC CuR 198 IC Leadframe 粗结构功能性载体制程
UPC CuR 198 电化学粗结构铜载体IC Leadframe制程，为业内提供电化学铜微结构工艺制程，引线框架铜底镀银产品中提高金属与封装树脂之间的密着性，满足MSL-1等级的需求，不分层(No Delamination)。沉积层可提供150-600μm粗糙度，车规级TO、SOIC需求。

特性与优点

1. 制程效果满足达到车载IC应用要求，达到MSL-1等级。
2. 提高电化学沉积铜粗微结构金属与封装树脂之间的密着性。
3. 适用于半导体元件及引线框架的工艺，能够提高封装密着性。
4. 特殊的凹凸状铜粗微沉积结构形态，增加结合力，不分层。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响后工序焊锡湿润性的效果。