行业解决方案
SOLUTION

UPC Cu Ⅲ 铜表面技术工艺

UPC Cu Ⅲ 铜表面技术工艺是一种在各种IC基板/框架 Interposer 介质层上，增加EMC/LF 结合力
等，铜表面的功能特性。主要应用在半导体、IC、先进封装材料上，以提高材料的表面性能和增
加结合力。工艺应用于FC点镀银的引线框架（Flip chip bonding）上，UPC Cu Ⅲ 能有效控制在
2.5 D/3 D IC 封装、芯片Pillar bump 上的Solder cap（焊接平衡性）防止 Solder cap 溢出在铜的
框架表面上（锡在铜面上不沾上），不影响做互联的平衡值增加封装制程可靠性。

特性与优点
1.优良的结合力（Mold compound 与 Leadframe）。

2.均匀的功能性表面，满足封装需求。

3. 工艺使用条件稳定，范围宽。
4.能满足FC bonding 引线框架应用需求。
5.不影响不伤害银/金镀层的表面功能性。

UPC Cu-MC01 IC 引线框架封装微蚀剂工艺

UPC Cu-MC01 IC 引线框架微蚀剂适用于半导体元器件及IC 引线框架
氧化制程上的前处理工艺，能有效清洁并使铜表面均匀微蚀而不伤铜
表面，广泛应用于氧化制程中的前处理。适用于半导体元器件、铜箔、
QFP、QFN、DFN等产品上。

特性与优点
1.能有效清洁并使铜表面均匀微蚀而不伤铜表面。。

2.广泛应用于氧化制程中的前处理。

3.适用于半导体元器件、铜箔、QFP、QFN、DFN等产品。

UPC IC 引线框架封装活化剂工艺

UPC IC 引线框架封装活化剂适用于半导体元器件及IC 引线框架氧化制
程上的前处理工艺，能有效清洁铜表面的氧化物及其他附着物，使氧化
时更均匀，广泛应用于氧化制程中的前处理。适用于半导体元器件、铜
箔、QFP、QFN、DFN等产品上。

特性与优点
1.能有效清洁铜表面的氧化物及其他附着物，使氧化时更均匀。

2.广泛应用于氧化制程中的前处理。

3.适用于半导体元器件、铜箔、QFP、QFN、DFN等产品。