行业解决方案
SOLUTION

UPC FAB Cu VMS 2001 半导体微电化学铜工艺

UPC FAB Cu micro Nano VMS 2001设计用于半导体微电子电化学铜沉积层结构工艺，成功满足RDL patterns、Cu pillar等芯片制程工艺。

特性与优点
1.制程容易控制，电化学铜沉积层的均匀度极佳，深镀能力速度快，无空洞。

2.镀层不产生针孔，内应力低，富延展性，均匀性高，电阻低，优良热传输功能。

3.电流密度范围宽阔。

4.可应用于各种不同类型的材料，WIW、WID 芯片制程。