行业解决方案
SOLUTION

UPC Ni 2202 半导体电子元件镍表面处理工艺

UPC Ni 2202适用于电子功能性的电化学沉积镍层工艺上，具良好的可焊性、优良的延展性、内应力极低的镍结构。

特性与优点
1. 镀层半光亮，柔软，用于氨基磺酸镍制程的高速连续镀电子工艺制程。
2. 特别针对IC Leadframe、PPF、SMD、LED、connector、IGBT元件，在镀层更薄情况下可获得均匀细致的电化学沉积层结构。
3. 在宽广的高速电流密度范围内(3-30 ASD)，填平及厚度均匀的镍层。
4. 填平度与分散均匀度佳，电流效率高。
5. 镀层内应力极低，具备优良的可焊性及防变色能力。
6. 分解产物少，镀液寿命长。

UPC PPF Ni-R 凹凸粗化镍结构功能性载体制程
UPC PPF Ni-R凹凸粗化结构电化学镍载体工艺制程，为业内引线框架制程企业提供先进的PPF制程，制造出达到MSL-1效果的PPF引线框架，能够提高金属与封装树脂之间的密着性。

特性与优点
1. 电化学沉积粗化镍结构，金属与封装树脂之间密着性提高的载体基层。
2. 适用于半导体元件，引线框架的工艺，提高封装密着性。
3. 特殊的凹凸状镍粗化沉积结构形态。
4. 工艺制程效果满足达到车载IC应用要求。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响焊锡湿润性，不影响打线引线键合(Wire-bonding)及贴芯片(Die-bonding)，钯金沉积层的结合力及功能性效果。


UPC Ni MP508 镍表面处理工艺

UPC Ni MP508是一种高速连续镀镍工艺，具良好可焊性及柔软度，提高生产效率及均镀性。

特性与优点

1. 镀层柔软，特别适用于氨基磺酸镍制程的高速连续电镀工艺。

2. 在宽广的电流密度范围内(5-25 ASD)，可获得填平度均匀的镍镀层。

3. 填平度与光亮度佳，电流效率高。

4. 镀层内应力极低，适用于一般镍底应用需要。

5. 分解产物少，镀液寿命长。

UPC PPF Ni-R预浸液

UPC PPF Ni-R预浸液是粗镍微结构电化学镍的前道制程，适用于微结构镍前处理使用，有效在电化学粗镍结构前活化提高微结构均匀性。

特性与优点

1. 前工序提高粗镍结构效果。                        

2. 预浸引线框架素材，更适合电化学粗镍结构的形成。
3. 工艺稳定，寿命使用周期长。   

UPC ECPALLI 5000

UPC ECPALLI 5000是一种含氨及呈微碱性的钯载体电化学沉积结构工艺，能沉积一层半光亮至光亮而不易爆裂的纯钯结构层，适用于电子应用上。应用范围广泛，典型包括端子电镀、印刷线路板的接点及半导体元件引线框架PPF工艺等。在半导体元件及集成电路引线框架上的PPF工艺应用方面，薄钯层可提供优良的接焊面，以代替内脚框及平垫上之银电镀；具有优良之焊锡性，能代替锡铅制程在封装后外脚框之预镀PPF制程。

特性与优点
1. 在半导体应用上有优良的接焊功能。
2. 低孔率镀层使底层金属得到极佳的保护而不易受侵蚀氧化。
3. 薄钯层提供优良焊锡性，Pre Plate Frame PPF应用。

UPC FAB_Au 2000
微电子电化学纯金UPC FAB_Au 2000适用于电子半导体引线框架、元件、连接器、航天、车载、5G通讯产品之表面上电化学薄金制程工艺。具有良好的焊接性，芯片载体层，打线wirebonding优良功能性。

特性与优点
1. 电化学沉积99.99%纯金结构层适合半导体相关工艺需要。
2. 半导体引线框架PPF的金层使用(Ni、Pd、Au)。
3. 极优良的焊接特性，上芯片、打线。


UBM Au 剥离剂 BLM-02

UBM Au 剥离剂 BLM-02，适用于端子、军工、新能源汽车件制程上的电子级化学品添加剂，安全、环保、不含危害物质，是一种环保型的无氰电化学剥离剂。脱金而不伤镍、铜素材料，在脱金的过程中亦不损害原来金层的功能性。

 
特性与优点

1. 适用于电子半导体工艺去除镍、铜等镀层上金镀层。

2. 在电解过程中不产生烟雾或喷雾。

3. 脱金效果稳定。

4. 操作容易，使用寿命长，成本低。