行业解决方案
SOLUTION

镍表面处理工艺

UPC Ni 2202 半导体电子元件镍表面处理工艺

2202.pngUPC Ni 2202适用于电子功能性的电化学沉积镍层工艺上,具良好的可焊性、优良的延展性、内应力极低的镍结构。


特性与优点
1. 镀层半光亮,柔软,用于氨基磺酸镍制程的高速连续镀电子工艺制程。
2. 特别针对IC Leadframe、PPF、SMD、LED、connector、IGBT元件,在镀层更薄情况下可获得均匀细致的电化学沉积层结构。
3. 在宽广的高速电流密度范围内(3-30 ASD),填平及厚度均匀的镍层。
4. 填平度与分散均匀度佳,电流效率高。
5. 镀层内应力极低,具备优良的可焊性及防变色能力。
6. 分解产物少,镀液寿命长。



UPC PPF Ni-R 凹凸粗化镍结构功能性载体制程
产品2图.pngUPC PPF Ni-R凹凸粗化结构电化学镍载体工艺制程,为业内引线框架制程企业提供先进的PPF制程,制造出达到MSL-1效果的PPF引线框架,能够提高金属与封装树脂之间的密着性。


特性与优点
1. 电化学沉积粗化镍结构,金属与封装树脂之间密着性提高的载体基层。
2. 适用于半导体元件,引线框架的工艺,提高封装密着性。
3. 特殊的凹凸状镍粗化沉积结构形态。
4. 工艺制程效果满足达到车载IC应用要求。
5. 低应力及良好延展性的结构层。
6. 不影响焊锡湿润性,不影响打线引线键合(Wire-bonding)及贴芯片(Die-bonding),钯金沉积层的结合力及功能性效果。


UPC Ni MP508 镍表面处理工艺
508.png

UPC Ni MP508是一种高速连续镀镍工艺,具良好可焊性及柔软度,提高生产效率及均镀性。


特性与优点

1. 镀层柔软,特别适用于氨基磺酸镍制程的高速连续电镀工艺。

2. 在宽广的电流密度范围内(5-25 ASD),可获得填平度均匀的镍镀层。

3. 填平度与光亮度佳,电流效率高。

4. 镀层内应力极低,适用于一般镍底应用需要。

5. 分解产物少,镀液寿命长。



UPC PPF Ni-R预浸液
预浸液.png

UPC PPF Ni-R预浸液是粗镍微结构电化学镍的前道制程,适用于微结构镍前处理使用,有效在电化学粗镍结构前活化提高微结构均匀性。

 

特性与优点

1. 前工序提高粗镍结构效果。                        

2. 预浸引线框架素材,更适合电化学粗镍结构的形成。
3. 工艺稳定,寿命使用周期长。   


UPC 预镀镍工艺 Ni LSN_16

UPC Ni LSN_16适用于铁件、铜件、不锈钢、铝材等金件及电子的产品上,取代氰化镀铜的打底工艺,适用于结合力打底金属表面的预镀层上使用。它能特别增强镀层之间的结合力中性pH的特性。

 

特性与优点

1. 极优良的渗透低电流的电镀能力。

2. 适用于电子、航天、通讯滤波器、LED等应用。

3. 不会影响产品外观。

4. 不含任何有害物质的成分,符合 RoHS 标准。

5. 比较传统的工艺更适合作于打底层。
6. 可用于滚、挂镀工艺。

7.药水不含沉淀物、稳定、操作简易。


UPC光泽氨基磺酸镍 Ni 801工艺

UPC光泽氨基磺酸镍Ni 801工艺是针对连续电镀于镀氨基磺酸镍底层上,高电流密度区使用的制程使金属或工件的外表附着一层镍金属膜技术,达到提高耐磨性,增加外观清亮和柔软性效果,其主要特性和优点,概述如下:

 

特性与优点

1. 镀层清亮,柔软,特别适用于需要镀后加工的工件。

2. 在宽广的电流密度范围内,可获得填平度均匀的镍镀层。

3. 快速填平与出光亮的能力,在低电流密度区亦有极佳镀层。

4. 适合于使用在氨基磺酸镍打底之工艺制程,低泡沫。

5. 完全不影响镀镍的功能。

6. 镀层的延展性极佳,保持优良的可焊性和镀层外观。


钯表面处理工艺

UPC ECPALLI 5000
5000.png

UPC ECPALLI 5000是一种含氨及呈微碱性的钯载体电化学沉积结构工艺,能沉积一层半光亮至光亮而不易爆裂的纯钯结构层,适用于电子应用上。应用范围广泛,典型包括端子电镀、印刷线路板的接点及半导体元件引线框架PPF工艺等。在半导体元件及集成电路引线框架上的PPF工艺应用方面,薄钯层可提供优良的接焊面,以代替内脚框及平垫上之银电镀;具有优良之焊锡性,能代替锡铅制程在封装后外脚框之预镀PPF制程。

特性与优点

1. 在半导体应用上有优良的接焊功能。
2. 低孔率镀层使底层金属得到极佳的保护而不易受侵蚀氧化。
3. 薄钯层提供优良焊锡性,Pre Plate Frame PPF应用。

金表面处理工艺

UPC FAB_Au 2000
2000.png
微电子电化学纯金UPC FAB_Au 2000适用于电子半导体引线框架、元件、连接器、航天、车载、5G通讯产品之表面上电化学薄金制程工艺。具有良好的焊接性,芯片载体层,打线wirebonding优良功能性。

特性与优点
1. 电化学沉积99.99%纯金结构层适合半导体相关工艺需要。
2. 半导体引线框架PPF的金层使用(Ni、Pd、Au)。
3. 极优良的焊接特性,上芯片、打线。


UBM Au 剥离剂 BLM-02
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UBM Au 剥离剂 BLM-02,适用于端子、军工、新能源汽车件制程上的电子级化学品添加剂,安全、环保、不含危害物质,是一种环保型的无氰电化学剥离剂。脱金而不伤镍、铜素材料,在脱金的过程中亦不损害原来金层的功能性。

 
特性与优点

1. 适用于电子半导体工艺去除镍、铜等镀层上金镀层。

2. 在电解过程中不产生烟雾或喷雾。

3. 脱金效果稳定。

4. 操作容易,使用寿命长,成本低。