其次，粘接层作为热管理的关键通道，能够将芯片工作时产生的热量高效传导至封装体或基板，避免因过热导致性能退化或失效。尤其对高功率器件而言，散热能力直接影响器件寿命。

        第三，部分粘接材料还承担电性连接功能，形成芯片与外部电路的导电路径。此外，优质的Die Attach工艺能有效缓冲热应力和机械应力，适应封装过程中的热膨胀与冷却变化，提升器件的环境适应性。

        Die Attach所使用的材料统称为晶粒粘接材料（DAMs），主要包括金属合金、陶瓷材料和聚合物材料三大类。金属合金如金锡（AuSn）、金硅（AuSi）等，具有优异的热导率和电导率，适用于高功率、高可靠性器件，但成本较高。陶瓷类材料如银填充玻璃，热导率在3–4 W/m·K左右，兼具电气绝缘特性，工艺温度较低。

根据粘接原理和材料的不同，Die Attach工艺可分为多种方法。

1. 软钎焊（Soft Solder Die Attach）

        软钎焊使用锡铅（SnPb）或锡银铜（SAC）等低熔点钎料，通过加热回流实现连接，工艺成熟、适合自动化生产，但易产生空洞且热导率相对有限。

2.共晶粘接（Eutectic Die Attach）

        共晶粘接利用金硅或金锡等共晶合金在高温（如363°C）下形成金属键合，具有高导热性、高强度和长期热稳定性，多见于高功率射频器件和汽车电子。

3.环氧粘接（Epoxy Die Attach）

        环氧粘接通过加热固化环氧胶实现粘接，工艺温和、成本低，但热导率较低且易受湿气老化影响。

4.紫外固化（UV Die Attach）

        紫外固化借助紫外线照射快速固化胶膜，适用于超薄晶圆和堆叠封装，但对光照均匀性要求高。

5.银烧结（Silver Sintering Die Attach）

        银烧结利用纳米银浆在高温压力下烧结成致密层，热导率极高（200–250 W/m·K），耐高温性能好，是宽禁带半导体器件的理想选择。

6.热压键合（Thermocompression Die Bonding）

        热压键合通过金属原子扩散直接键合，无需中间材料，可靠性极高，适合MEMS和气密封装。

7.倒装芯片（Flip Chip Die Attach）

        倒装芯片将芯片有源面朝下通过凸点与基板连接，缩短互连路径，提升电性能和散热能力，广泛用于高端CPU、射频模块等。

        Die Attach完成后需通过多种无损检测手段评估粘接质量。X射线成像可检测粘接层中的空洞、裂纹和厚度均匀性，空洞区域在图像中呈暗斑。超声波扫描利用高频声波反射识别微裂纹和分层等缺陷。常见失效模式包括空洞、脱层和开裂。

        空洞多因气体或水分残留导致，阻碍散热并引发局部过热；脱层常由材料热膨胀系数不匹配引起，如硅芯片（CTE≈2.6 ppm/°C）与环氧胶（CTE≈23 ppm/°C）的差异易导致界面分离；开裂则源于热应力或机械疲劳，微裂纹即可显著影响性能。通过早期缺陷识别和工艺优化，可大幅提升产品良率和可靠性。

        Die Attach是保障芯片机械稳固、热管理效率和电气连接可靠性的基石。随着半导体技术向高功率、高集成度方向发展，粘接材料与工艺的进步将继续推动器件性能提升与应用领域拓展。选择合适的Die Attach方式，不仅关乎封装成败，更直接影响电子产品的整体寿命与稳定性。