芯片的未来，不在制程，而在0.5微米的键合精度
当人们将焦点聚集在模型规模、训练数据与芯片算力时，半导体产业的结构性变革正悄然发生——从摩尔定律的放缓，到Chiplet架构与异构集成的崛起，先进封装成为新的性能突破口。
SEMI 数据显示，2024 年全球半导体制造设备市场销售额达到 1170 亿美元，同比增长约 10%。其中组装/封装环节的占比虽小，但正是这个曾被边缘化的环节，正在成为决定AI芯片成败的关键变量。
未来芯片的性能，不仅靠设计，也靠“怎么贴”。
封装，正在解决两个卡脖子的问题
1. 设计面积极限已至，Chiplet+封装成为新范式
传统SoC设计逐渐逼近光刻掩膜极限——NVIDIA H100芯片已接近800mm²，而Rubin Ultra更是突破Reticle边界。这迫使芯片架构向Chiplet演进，以模块化方式解决良率和扩展问题。
而连接这些芯粒的核心工艺，正是混合键合（Hybrid Bonding）。该技术具备以下优势：
可实现<1微米级互连精度，远超传统Flip Chip或TCB；
支持3D堆叠与高带宽互联，特别适用于AI和HBM架构；
显著降低互连功耗与热阻，优化能效比。
报告指出，Besi 已有 50% 设备收入与 AI 应用直接相关，其混合键合设备预计到 2030 年将实现 累计装机量 2000 台，是 2024 年的三倍以上。
2. 数据爆炸倒逼“连接效率”革命
以HBM为例，从HBM2/2E到HBM3/3E，再到预计2026年商用的HBM4/5，堆叠层数将从8层提升到16层甚至更高，封装压力指数级增长。
数据显示：
混合键合的单位互联成本相比传统方式降低 10 倍以上；
可降低HBM芯片堆叠温度约 20%，显著缓解高性能计算热瓶颈；
与之配套的设备（如TCB、Hybrid Bonding）正快速量产化。
混合键合：从技术突破，到市场主流
全球头部厂商的技术采用节奏已非常清晰：
Apple的M1 Ultra（2022）首次将SoC通过混合键合拆分为两个大芯粒，统一调度；
AMD EPYC、NVIDIA B100 等高端芯片已大规模部署该工艺；
英伟达在CPO交换芯片中，每颗封装多达36个光子Chiplet，全部使用混合键合；
HBM4/5时代，三星、SK海力士、Micron 等都已确认将Hybrid Bonding作为唯一堆叠方式。
市场数据也显示：
混合键合设备年均复合增长率（CAGR）达 >41%；
到 2030 年，高端封装市场预计将突破 165 亿欧元（约 180 亿美元），其中 Hybrid Bonding 成为核心赛道。
芯片不是被设计出来的，而是被“精准粘合”的。
时间窗口正在快速打开
Besi 作为主要设备厂商，其数据已显现结构性信号：
2024 年 81% 营收来自 Die Attach 封装设备；
超过 50% 的设备收入用于 AI 应用场景；
Q3-25 订单同比增长 15.1%，环比增长 36.5%，主因是亚洲代工厂加速采购面向 AI 与 2.5D 封装的设备。
与此同时，封装产能投资也在全球范围内加速：
这些投资并不是短周期炒作，而是面向 2026 年后 AI 封装节点的提前布局。
封装产业的下一个拐点：系统生态化
先进封装不再只是工艺问题，而是正在走向“架构层”的系统生态。它连接的不仅是芯片，更是设计、制造、热管理、光学、能效的集成逻辑。
Besi 在报告中展示其平台能力：
封装精度达 0.5 微米，适用于 Chiplet 对接；
单设备最大产能可达 2500 颗/小时；
产品覆盖 Hybrid Bonding、TCB、Fluxless Bonding 等多种配置；
支持 16 层 HBM 堆叠 与 Photonics、CPO、AI XPU 封装需求。
下一步竞争的核心，是哪家企业能把封装能力嵌入到芯片架构协同设计之中。
先进封装不是一台机器，而是芯片架构里的工程语言。
结语：AI芯片的尽头，是封装的起点
在制程红利逐渐枯竭、性能瓶颈频现的今天，封装早已不再是低附加值环节。
它决定了功耗路径、通信延迟、带宽瓶颈，也重新定义了芯片设计边界。从数据中心的XPU，到边缘的AI PC、智能驾驶、AR眼镜，每一项未来技术的实现路径，都绕不开高密度异构封装。
而混合键合与TCB，正是这场变革的施工工具。
芯片的未来，不是纳米制程，而是0.5微米的键合精度。
